PREFACIO

CAPÍTULO 1. ESTADOS ELECTRÓNICOS Y BANDAS DE ENERGÍA EN LOS SEMICONDUCTORES

1.1 Redes cristalinas I
1.2 Redes cristalinas II
1.3 Índices de Miller
1.4 Estructura de bandas I
1.5 Estructura de bandas II
1.6 Estructura de bandas III
1.7 Cálculo de velocidades y masas efectivas
1.8 Transporte de portadores en un campo eléctrico
1.9 Densidad de estados energéticos. Semiconductor tridimensional
1.10 Densidad de estados energéticos. Semiconductor bidimensional
1.11 Estadística de semiconductores
1.12 Centros tripolares
1.13 Efecto Hall
1.14 Centros profundos
1.15 Generación y recombinación de portadores
1.16 Recombinación Auger
1.17 Problemas propuestos

CAPÍTULO 2. TRANSPORTE EN SEMICONDUCTORES

2.1 Pseudoniveles de Fermi
2.2 Tiempos de relajación
2.3 Ecuaciones de continuidad I
2.4 Ecuaciones de continuidad II
2.5 Evolución temporal del exceso de portadores
2.6 Ionización por impacto
2.7 Problemas propuestos

CAPÍTULO 3. LA UNIÓN METAL-SEMICONDUCTOR

3.1 Relación entre cargas, potenciales y corrientes
3.2 Unión metal-semiconductor en circuitos
3.3 Cálculo de potenciales en diodos metal-semiconductor intrínseco-semiconductor dopado
3.4 Uniones metal-semiconductor óhmicas
3.5 Cálculo de la capacidad de transición. Estudio de los perfiles de dopado
3.6 Problemas propuestos

CAPÍTULO 4. LA UNIÓN PN

4.1 Relación entre cargas, potenciales y corrientes
4.2 Modelo de gran señal del diodo, resistencia interna
4.3 Corrientes de generación y recombinación
4.4 Capacidades de la unión PN y cálculo de perfiles de dopado
4.5 Modelo de control de carga, tiempo de almacenamiento
4.6 Problemas propuestos

CAPÍTULO 5. EL TRANSISTOR BIPOLAR

5.1 Cargas y corrientes en el transistor bipolar
5.2 Polarización de transistores PNP
5.3 Modelo de pequeña señal del TB
5.4 Transistor bipolar de deriva, dopado de base no uniforme. Transistores de base gradual
5.5 Rotura en un transistor bipolar. Rotura por multiplicación en avalancha y punchthrough
5.6 Problemas propuestos

CAPÍTULO 6. ESTRUCTURA METAL-AISLANTE-SEMICONDUCTOR

6.1 Relación entre cargas y potenciales
6.2 Fuerte inversión. Tensión umbral
6.3 Débil inversión. Efecto de los estados de superficie
6.4 Capacidades en la estructura MIS
6.5 Procesos de generación y recombinación en la estructura MIS
6.6 Procesos de formación de carga estática en la puerta y ruptura del óxido o aislante de la
estructura MIS
6.7 Problemas propuestos

CAPÍTULO 7. TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO

7.1 Transistores de efecto campo de unión I
7.2 Transistores de efecto campo de unión II. Región de saturación
7.3 Transistor MOSFET
7.4 Estudio del efecto cuerpo en transistores MOSFET
7.5 Corriente sub-umbral. MOSFET en inversión débil
7.6 Modulación de la longitud del canal
7.7 Saturación de la velocidad de los portadores en el canal
7.8 Efectos de canal corto y estrecho
7.9 Modelo de pequeña señal
7.10 MOSFETs en circuitos
7.11 Problemas propuestos

CAPÍTULO 8. DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS

8.1 Absorción óptica de un semiconductor
8.2 Fotoconductor
8.3 Células solares I
8.4 Células solares II
8.5 Problemas propuestos

APÉNDICE A: TABLAS
APÉNDICE B: CÁLCULOS USUALES

REFERENCIAS

ÍNDICE