1. Introducción
1.1 Tres prejuicios comunes sobre la fotovoltaica
1.2 Ventajas y desventajas
1.3 Celdas, módulos, generadores y centrales
1.4 Despliegue mundial de la fotovoltaica
1.5 Obtención de materiales fotovoltaicos
1.6 El valor ecológico de la fotovoltaica
1.7 Cuestionario

2. Absorción de la radiación solar.
2.1 Espectro solar
2.2 Flujo de fotones
2.3 Absorbancia y coeficiente de absorción
2.4 Cuestionario

3. Semiconductores
3.1 Una celda solar elemental
3.2 Bandas de energía en sólidos
3.3 Estructura de bandas
3.4 Absorción y emisión de fotones
3.4.1 Procesos de absorción en semiconductores directos
3.4.2 Procesos de absorción en semiconductores indirectos
3.5 Ocupación de bandas en equilibrio termodinàmico
3.6 Donadores y aceptores
3.7 Diagrama de bandas
3.8 Generación y recombinación
3.8.1 Tasa de generación bajo iluminación
3.8.2 Tasa de recombinación
3.9 Cuestionario

4. Fundamentos de la acción fotovoltaica.
4.1 Ulcctroestática en semiconductores
4.2 Corrientes eléctricas
4.2.1 Corrientes de arrastre por campo eléctrico
4.2.2 Corrientes de difusión
4.2.3 Corrientes netas
4.2.4 Corrientes en regiones cuasi-neutrales
4.3 Niveles de cuasi-Fermi y caída de potencial
4.4 Ecuaciones de continuidad
4.5 Tiempo de vida
4.6 Múltiples procesos de recombinación simultáneos
4.7 Longitud de difusión
4.8 Longitud de arrastre
4.9 Cuestionario

5. Celdas solares
5.1 Características como generador
5.2 Requisitos fundamentales
5.3 Juntura pn
5.3.1 Electrostática de la juntura pn
5.3.2 Tipos de corriente y ley de la juntura pn
5.3.3 Curva de tensión/corriente a oscuras
5.3.4 Curva de tensión/corriente bajo iluminación
5.3.5 Recombinación en la región de carga espacial
5.4 Celda solar pn finita
5.4.1 Curva de tensión/corriente
5.4.2 Dependencia espectral de la fotocorriente
5.5 Celda solar pin
5.5.1 Campo eléctrico en la zona intrínseca
5.5.2 Curva de tensión/corriente
5.6 Criterios básicos para el diseño de celdas solares
5.7 Modelo de la olla
5.8 Cuestionario

6. Interfaces con semiconductores
6.1 Interfaces metal-semiconductor
6.1.1 Contactos óhmicos metal-semiconductor
6.2 Recombinación en interfaces
6.3 Interfaces semiconductor-semiconductor
6.3.1 Heteroestructuras semiconductoras
6.3.2 Bordes de grano
6.4 Cuestionario

7. Pérdidas resistivas y circuito equivalente
7.1 Resistencias serie y paralelo
7.2 Circuito equivalente
7.2.1 Curvas de tensión/corriente en oscuridad
7.2.2 Curvas de tensión/corriente bajo iluminación
7.2.3 Recuento de pérdidas eléctricas
7.3 Efecto de la concentración de luz
7.4 Efecto de la temperatura
7.5 Cuestionario

8. Ensayo de celdas
8.1 Ensayo de tensión/corriente
8.2 Ensayo de capacidad en reversa
8.3 Ensayo de respuesta espectral y eficiencia cuántica
8.3.1 Modelo de eficiencia cuántica de celdas pn

9. Límites de la eficiencia
9.1 Límite termodinámico
9.2 Límite de Shockley y Queisser
9.2.1 Principio del balance detallado
9.2.2 Balance de flujos de partículas
9.2.3 Pérdidas por termalización de portadores
9.3 Celdas multijuntura

10. Diseño y análisis de pérdidas

10.1 Pérdidas y diseño óptimo
10.2 Diseño electrónico
10.2.1 Profundidad de la juntura en celdas pn
10.2.2 Resistencia serie de la capa superior
10.2.3 Dopajes y tiempos de recombinación
10.2.4 Campo eléctrico posterior
10.2.5 Grilla de contacto frontal
10.3 Diseño óptico
10.4 Materiales y estrategias de diseño
10.4.1 Celdas basadas en obleas
10.4.2 Celdas de capa fina. Helerojunturas de Cu(In,Ga)Se2 y CdTe
10.5 Celdas concentradoras de luz
10.6 Análisis de pérdidas de potencia

11. Módulos y sistemas
11.1 Especificación de módulos fotovoltaicos
11.2 Apantallamiento en módulos fotovoltaicos
11.3 Sistemas fotovoltaicos
11.4 Cuestionario

Apéndice A: constantes y relaciones fundamentales.
Apéndice B: parámetros de materiales a 300 K
Apéndice C: nociones de cuántica de los semiconductores
Apéndice D: relación entre VOC Vbi.